robotikauns.net | Metal-oxide semiconductor
FET (disingkat MOSFET) adalah peranti semikonduktor yang dapat
dioperasikan dalam mode peningkatan (enhancement) lebar kanal. Artinya
MOSFET tidak dibatasi untuk bekerja dengan gate berbias balik (Thomas,
2002: 81), namun MOSFET juga dapat bekerja dengan gate berbias maju.
Karakter tersebut di atas adalah yang menjadikan MOSFET berbeda dengan
JFET. Dimana supaya dapat bekerja dengan baik, maka kaki terminal gate
(G) JFET harus berbias balik
Kemudian secara struktur, MOSFET dan JFET berbeda. Pada MOSFET, bagian gate diisolasi dari saluran (kanal), sehingga MOSFET juga terkadang disebut dengan IGFET kepanjangan dari insulated-gate FET. Bahan yang digunakan untuk mengisolasi terminal gate dengan bagian kanal MOSFET adalah silikon dioksida (SiO2).
Seperti halnya JFET, MOSFET juga memiliki dua jenis yaitu MOSFET Depletion-Mode (D-MOSFET) dan MOSFET Enhancement-Mode (E-MOSFET) yang masing-masing juga memiliki tipe kanal-n dan tipe kanal-p.
D-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘ON’ dan beroperasi seperti suatu JFET, sedang E-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘OFF’ artinya arus drain-source (IDS) seperti penaikan tegangan pada terminal gate. Tidak ada aliran arus ketika terminal gate mendapat tegangan.
Konstruksi dan Simbol MOSFET
Gambar 2. Konstruksi MOSFET
Pada gambar 2 di atas, tampak bahwa lapisan isolasi antara gate dengan bagian lain dari komponen terbuat dari bahan silicon dioxide (SiO2). Sedangkan terminal gate terbuat dari bahan konduktor logam (metal). Selain itu, tampak juga bahwa konstruksi D-MOSFET memiliki kanal secara fisik antara terminal drain dan source. Namun pada konstruksi E-MOSFET tidak terdapat kanal secara fisik, karena kanal pada E-MOSFET terbentuk bergantung pada tegangan gate. Pada gambar 2 di atas, juga terlihat terdapat terminal substrat. Substrat merupakan pondasi dari konstruksi bangunan MOSFET.
Gambar 3 di atas merupakan gambar simbol MOSFET jenis D-MOSFET (kanal N dan kanal P) dan E-MOSFET (kanal N dan kanal P).
_____________________
Sumber pustaka:
Taufiq Dwi Septian Suyadhi, 2010, “Buku Pintar Robotika”, ANDI Offset, Yogyakarta
Taufiq Dwi Septian Suyadhi, 2014, “Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET)”, Robotics University
Thomas Sri widodo, 2002, “Elektronika Dasar”, Salemba Teknika, Jakarta
Kemudian secara struktur, MOSFET dan JFET berbeda. Pada MOSFET, bagian gate diisolasi dari saluran (kanal), sehingga MOSFET juga terkadang disebut dengan IGFET kepanjangan dari insulated-gate FET. Bahan yang digunakan untuk mengisolasi terminal gate dengan bagian kanal MOSFET adalah silikon dioksida (SiO2).
Seperti halnya JFET, MOSFET juga memiliki dua jenis yaitu MOSFET Depletion-Mode (D-MOSFET) dan MOSFET Enhancement-Mode (E-MOSFET) yang masing-masing juga memiliki tipe kanal-n dan tipe kanal-p.
D-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘ON’ dan beroperasi seperti suatu JFET, sedang E-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘OFF’ artinya arus drain-source (IDS) seperti penaikan tegangan pada terminal gate. Tidak ada aliran arus ketika terminal gate mendapat tegangan.
Gambar 1. Bentuk fisik MOSFET IRF530
Konstruksi dan Simbol MOSFET
Gambar 2. Konstruksi MOSFET
Pada gambar 2 di atas, tampak bahwa lapisan isolasi antara gate dengan bagian lain dari komponen terbuat dari bahan silicon dioxide (SiO2). Sedangkan terminal gate terbuat dari bahan konduktor logam (metal). Selain itu, tampak juga bahwa konstruksi D-MOSFET memiliki kanal secara fisik antara terminal drain dan source. Namun pada konstruksi E-MOSFET tidak terdapat kanal secara fisik, karena kanal pada E-MOSFET terbentuk bergantung pada tegangan gate. Pada gambar 2 di atas, juga terlihat terdapat terminal substrat. Substrat merupakan pondasi dari konstruksi bangunan MOSFET.
Gambar 3. Simbol MOSFET
Gambar 3 di atas merupakan gambar simbol MOSFET jenis D-MOSFET (kanal N dan kanal P) dan E-MOSFET (kanal N dan kanal P).
_____________________
Sumber pustaka:
Taufiq Dwi Septian Suyadhi, 2010, “Buku Pintar Robotika”, ANDI Offset, Yogyakarta
Taufiq Dwi Septian Suyadhi, 2014, “Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET)”, Robotics University
Thomas Sri widodo, 2002, “Elektronika Dasar”, Salemba Teknika, Jakarta
0 komentar:
Posting Komentar
robotikaUNS.net hanya mengizinkan komentar yang berkualitas.